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課程名稱 |
記憶體電路技術
Memory Circuit Technology |
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開課學期 |
110-2 |
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授課對象 |
電機資訊學院 電機工程學研究所 |
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授課教師 |
胡璧合 |
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課號 |
EEE5057 |
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課程識別碼 |
943 U0590 |
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班次 |
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學分 |
3.0 |
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全/半年 |
半年 |
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必/選修 |
選修 |
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上課時間 |
星期三6,7,8(13:20~16:20) |
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上課地點 |
電二104 |
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備註 |
總人數上限：30人 |
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課程簡介影片 |
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核心能力關聯 |
核心能力與課程規劃關聯圖 |
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課程大綱
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為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
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課程概述 |
本課程首先介紹半導體元件操作，從半導體元件的演進、新興元件的引入、基本
SRAM cell及其週邊電路設計的介紹，及技術與電路之共同最佳化等主題，並討論
半導體元件微縮所帶來的挑戰，討論變異度及可靠度對SRAM所帶來的影響。第二
部分會介紹適用於超低電壓的SRAM設計及先進元件之SRAM設計。第三部分會就揮
發性記憶體DRAM，及其他非揮發性記憶體的操作原理及基本記憶胞結構等做介紹。
1. Introduction and device semiconductor physics
2. Overview of the semiconductor memory
3. 6T SRAM basic cell
4. SRAM: Peripheral circuits
5. SRAM: Read/write assist circuits
6. Design challenges for nanometer SRAM
7. 8T SRAM cell
8. Asymmetrical SRAM
9. Low power subthreshold SRAM
10. Fully-depleted SOI (FD/SOI) and multi-gate FinFET SRAM
11. DRAM technology
12. Flash memory technology and emerging non-volatile memory technologies |
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課程目標 |
了解前瞻記憶體元件及電路之運用與技術發展。藉由回顧過去至今記憶體技術之
演進與微縮挑戰，並探討各式運用電荷儲存、阻抗、相變與奈米系統之新興記憶
體元件的類型、工作原理、基本的記憶單元結構和製程技術，以及當前之研究課
題等。適合有興趣了解未來固態記憶體元件發展趨勢之同學，選修者應具備半導
體元件物理之基礎知識。 |
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課程要求 |
1.預修科目:固態電子學或電子學一
2.成績評量方式：
(1) 期中考 40 %
(2) 期末考 40 %
(3) 期末書面報告 15%
(4) Class participation 5% |
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預期每週課後學習時數 |
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Office Hours |
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指定閱讀 |
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參考書目 |
[1] B. Jacob et al, “Memory Systems- Cache, DRAM and Disk”,
Morgan Kaufmann 2008
[2] K Itoh, VLSI Memory Chip Design”, Springer 2001
[3] B Keeth et al, “DRAM Circuit Design: Fundamentals and High
Speed Topics”, 2007
[4] G. Campardo et al, “VLSI Design of Non-Volatile Memories”,
Springer 2004
[5] C. Kim and H. Lee, “High-Bandwidth Memory Interface”,
Springer 2013
[6] Some class materials are based on papers published at
international conferences and journals in recent years. |
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評量方式
(僅供參考) |
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